NXP Semiconductors BFU5x NPN Wideband Silicon RF 晶体管
NXP Semiconductor BFU5x NPN 宽带硅射频晶体管是符合 AEC-Q101 标准的低噪声、高击穿电压射频晶体管，适用于频率高达 2GHz 的小信号到中等功率应用。BFU5x 射频晶体管具有优异的性能，可产生 20dB 的最大增益，900MHz 频率下噪声值仅为 0.7dB。这些器件在低到中等功率时可实现更佳的信号接收，并使射频接收器能在嘈杂环境中更稳定地工作。用作（低噪声）放大器或振荡器时，BFU5x 射频晶体管支持高电源电压和高击穿电压。这使得这些器件成为汽车、通信、工业等应用的理想选择。该产品系列采用多种行业标准封装，包括 SOT323、SOT23和 SOT143 等。
特性
- Low noise, high breakdown RF transistor
- AEC-Q101 qualified
- Suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz
- Enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments
- Minimum noise figure (NFmin) = 0.65dB at 900MHz
- Maximum stable gain 20dB at 900MHz; 22dB at 900MHz (BFU590Q)
- 11GHz or 8GHz fT silicon technology
应用
- Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
- Broadband amplifiers up to 2GHz
- Low noise amplifiers for ISM applications
- Large signal amplifiers for ISM applications
- Medium power amplifiers (500mW at a frequency of 433MHz or 866MHz)
- ISM band oscillators
- Automotive
- Satellite
- Broadcast
- FM radio
- General-purpose
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| 物料编号 | 数据表 | 集电极连续电流 | 最大直流电集电极电流 | 工作频率 | 输出功率 | Pd-功率耗散 | RoHS - 贸泽 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFU530WX |  |
40 mA | 65 mA | 11 GHz | 10 dBm | 450 mW | Y |
| BFU520WX | |
30 mA | 50 mA | 10 GHz | 7 dBm | 450 mW | Y |
| BFU520YX | |
30 mA | 50 mA | 10 GHz | 7 dBm | 450 mW | Y |
| BFU530R | |
40 mA | 65 mA | 11 GHz | 10 dBm | 450 mW | Y |
| BFU530XRR | |
40 mA | 65 mA | 11 GHz | 10.5 dBm | 450 mW | Y |
| BFU590QX | |
200 mA | 300 mA | 8 GHz | 22 dBm | 2 W | Y |
| BFU550R | |
50 mA | 80 mA | 11 GHz | 13.5 dBm | 450 mW | Y |
| BFU550WX | |
50 mA | 80 mA | 11 GHz | 13.5 dBm | 450 mW | Y |
| BFU530XAR | |
40 mA | 65 mA | 11 GHz | 10 dBm | 450 mW | Y |
发布日期: 2014-09-12
| 更新日期: 2025-11-26