NXP Semiconductors MRFX1K80参考电路
NXP Semiconductors MRFX1K80H参考电路支持对NXP MRFX1K80射频功率晶体管进行快速评估和原型设计。NXP MRFX1K50射频功率LDMOS晶体管将高射频输出功率与卓越的坚固结构和热性能完美结合。MRFX1K80晶体管设计用于在65V CW（连续波）时提供1800W功率，适用于1MHz到470MHz的应用，并且能够处理65:1的电压驻波比 (VSWR)。
特性
- 用于评估NXP MRFX1K80射频功率晶体管
- 高电压可实现高输出功率密度，并可减少元件数量、简化设计
- 在增大输出功率的同时保持合理的输出阻抗，并简化阻抗匹配，从而缩短产品开发时间
- 该器件与NXP MRF1K50H和MRF1K50NR5 50V LDMOS晶体管引脚对引脚兼容，可让射频设计人员重复使用现有的电路板设计，从而缩短产品上市时间
- 更高的电压可以减小系统电流，减少直流电源负荷并降低磁辐射
- 采用NXP 65V LDMOS技术，具有182V的击穿电压，可提高可靠性并实现高效率架构
应用
- 工业、科技和医疗 (ISM)
- 激光生成
- 等离子生成
- 粒子加速器
- MRI、射频消融和皮肤治疗
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和VHF电视广播
- 航空航天
- 甚高频全向导航 (VOR)
- HF通信
- 天气雷达
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| 物料编号 | 数据表 | 频率 | 工作电源电压 |
|---|---|---|---|
| MRFX1K80N-88MHZ |  |
87.5 MHz to 108 MHz | |
| MRFX1K80H-88MHZ | |
87.5 MHz to 108 MHz | |
| MRFX1K80H-128MHZ | |
128 MHz | |
| MRFX1K80H-175MHZ | |
175 MHz | 60 V |
| MRFX1K80H-230MHZ | |
230 MHz | |
| MRFX1K80H-64MHZ | |
64 MHz | |
| MRFX1K80H-81MHZ | |
81.36 MHz | |
| MRFX1K80H-VHFDHY | |
174 MHz to 230 MHz | |
| MRFX1K80N-230MHZ | |
230 MHz |
发布日期: 2018-01-15
| 更新日期: 2022-10-18