NXP Semiconductors RapidRF前端设计在紧凑尺寸中集成了射频功率放大器、Rx LNA、T/R开关、循环器和偏置控制器。它们包含一个用于DPD反馈的耦合器,使用时具有数字预失真。
RapidRF参考板非常适合用于天线需要2.5W至5.0W(34dBm至37dBm)平均发射功率的5G无线电单元。针对不同频段的版本采用通用PCB布局,简化了设计和制造,加快了产品上市。
特性
- 设计用于64T、5W RU(每个天线的典型功率为320W)
- 28V LDMOS射频前端设计
- 频率范围:2496MHz至2690MHz
- 目标频段B42
- 峰值:47.1dB (50W)
- 39.0dBm (8W) (8.0dB OBO,27V时)
- 增益:56dB
- 通过循环器实现37%系列效率
- 50Ω输入/输出
- 瞬时带宽 (IBW):200MHz
- 自动偏置,带温度补偿
- 时分双工 (TDD) 运行
- 数字预失真 (DPD) 路径
- 57.15mm x 38.35mm电路板尺寸
- 关键元器件
- AFSC5G26E39 Airfast功率放大器模块
- AFRX5G272 Airfast Rx模块
- AFLP5G35645 Airfast预驱动器模块
应用
- 5G大规模MIMO无线电单元
- 传统宏基站的驱动程序
- 开放式RAN和专有无线电接入网络
- 室外小型蜂窝
板布局
框图
发布日期: 2021-05-10
| 更新日期: 2022-03-11
