NXP Semiconductors TEA2206T有源桥式整流器控制器
NXP Semiconductors TEA2206T有源桥式整流器控制器设计用于用MOSFET替代传统二极管桥中的两个低侧二极管。将TEA2206T与低欧姆高压外部MOSFET搭配使用，可显著提高电源转换器的效率，因为消除了典型的整流二极管正向导通损耗。此外，TEA2206T还具有X电容放电功能，可在待机情况下降低功耗。
TEA2206T控制器设计用于升压型功率因数控制器作为第一级的电源。第二级可以是谐振控制器、反激式控制器或任何其他控制器拓扑。它可用于任何需要高效率的电源。
NXP Semiconductors TEA2206T有源桥式整流器控制器采用SO8封装，采用绝缘体硅片 (SOI) 工艺制造。
特性
- 效率特性
- 降低二极管整流桥的正向导通损耗
- 2mW超低功耗
- 应用特性
- 直接驱动两个整流器MOSFET
- 非常少的外部元件
- 集成2mA X电容放电
- 自供电
- 控制特性
- 欠压闭锁
- 漏极-源极过压保护，用于所有外部功率MOSFET
- 启动时栅极下拉电流，用于所有外部功率MOSFET
- 物理特性
- 结温范围：-40°C至+125°C
- SO8小外形封装；8引脚；体宽度3.9mm
应用
- 适配器
- 台式电脑和一体机电源
- 显示器电源
- 服务器电源
开发工具
NXP Semiconductors TEA2206DB1583演示板
用于TEA2206T有源桥式整流器控制器的评估平台。
相关产品
NXP Semiconductors TEA2209T有源桥式整流器控制器
有源桥式整流器控制器，设计用于替代传统的二极管桥。
框图
典型配置
应用示意图
封装外形
发布日期: 2021-06-17
| 更新日期: 2022-03-11