恩智浦高性能射频

恩智浦使设计人员可满足要求最为严苛的 RF 应用的要求。通过恩智浦高性能射频产品,你可以设计最高规格的系统,同时最大程度地保持效率、功率、坚固度、一致性、集成度等方面的高标准。无论您是希望改进 RF 性能、设计高效信号链、还是通过创新的 ISM 应用打开一片新天地,恩智浦的创新思维和专业支持都能在您前进的每一步提供帮助。

作为高性能 RF 领域显著的行业领导者,恩智浦每年出售超过 40 亿件产品。这些高性能 RF 产品在各种应用中起着关键的作用从卫星接收器、蜂窝基站、广播发射器到 ISM(工业、科技和医疗)、航空航天、及国防应用。创新的 Doherty 功率放大器、JESD204A 串行化数据接口、及 微型 GPS LNA 是恩智浦通过不断创新带给您的几款产品。

恩智浦高性能射频资源

恩智浦用于广播、ISM、国防与航空航天应用的射频功率晶体管视频
恩智浦变容二极管
为何选择恩智浦变容二极管:
  • 匹配过程直接
  • 公差小
  • 产品涵盖频率范围大,提供多种封装(包括无引线)
变容二极管选型指南
零件编号封装/外壳电容反向电压最小调谐比数据表






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恩智浦 PIN 二极管
为何选择恩智浦 PIN 二极管:
  • 产品多样
  • 无与伦比的性能
  • 低串联电感
  • 低插入损耗
  • 低电容
PIN 二极管选型指南
零件编号封装/外壳正向电流反向电压正向电压最大二极管电容数据表







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恩智浦肖特基二极管
为何选择恩智浦肖特基二极管:
  • (非常)低的二极管电容
  • (非常)低正向电压
  • 单和三重隔离二极管
  • (超级/非常)小封装

肖特基二极管选型指南
零件编号封装/外壳Vrrm - 重复反向电压If - 正向电流配置VF - 正向电压Ir - 反向电流Ifsm - 正向浪涌电流数据表









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RF MMIC

恩智浦的智能 RF MMIC(单片微波 IC)可自动针对温度和过程变化作出补偿。它们将晶体管、电阻器、电容器集成到一个单个器件,大幅降低了电路板空间需求。恩智浦大量选用 50Ω 增益模块和低噪声器件,无需外部匹配元件,降低了系统整体成本并增加了可靠性。

RF MMIC 选型指南
零件编号封装/外壳P1dB工作频率功率增益(典型值)噪声因数输出截取点数据表








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射频模块

恩智浦是世界上 CATV 产品最大的供应商之一,提供光接收器、功率倍增器 推挽、反向放大器等。我们还有完整的解决方案用于一系列光学网络系统,它们采用最新的工艺制造。

光学接收器选型指南
零件编号封装/外壳描述数据表




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功率倍增器选型指南
零件编号封装/外壳功率增益(典型值)工作频率供电电流数据表






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推挽选型指南
零件编号封装/外壳功率增益(典型值)工作频率供电电流数据表






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反向放大器选型指南
零件编号封装/外壳功率增益(典型值)工作频率供电电流数据表






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恩智浦 RF 双极性晶体管

按过渡频率和噪声/增益性能分类,恩智浦的宽带晶体管提供一系列封装、制程和规范选择。产品线目前已推出第 7 代产品,提供从 100MHz 到 20GHz 的工作频率

5-7 代恩智浦 RF 双极性晶体管
零件编号封装/外壳集电极-发射极电压 VCEO 最大值频率连续集电极电流功率耗散数据表







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小信号 FET

恩智浦提供多种成熟 RF 小信号 FET,从 N 沟道双栅极 MOSFET 到专用 P 沟道 JFET,适用于开关应用。

N 沟道结型 FET 选型指南
零件编号封装/外壳Vds - 漏极-源极击穿电压Vgs - 栅极-源极击穿电压Id - 连续漏极电流Rds On - 漏极-源极电阻Pd - 功耗数据表








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适用于开关应用的 N 沟道结型 FET 选型指南
零件编号封装/外壳Vds - 漏极-源极击穿电压Vgs - 栅极-源极击穿电压Id - 连续漏极电流Pd - 功耗数据表







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N 沟道双栅极 MOSFET 选型指南
零件编号封装/外壳Vds - 漏极-源极击穿电压Vgs - 栅极-源极击穿电压Id - 连续漏极电流Pd - 功耗数据表







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N 沟道单栅极 MOSFET 选型指南
零件编号封装/外壳Vds - 漏极-源极击穿电压Vgs - 栅极-源极击穿电压Id - 连续漏极电流Rds On — 漏极-源极电阻Vgs -栅极-源极击穿电压数据表








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适用于开关应用的 P 沟道结型 FET 选型指南
零件编号封装/外壳Vds - 漏极-源极击穿电压Vgs - 栅极-源极击穿电压Id - 连续漏极电流数据表






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射频功率晶体管

除双极性解决方案外,作为世界领先的 LDMOS 厂商,恩智浦还向客户提供一系列 RF 功率晶体管,它们具有同类最佳的效率、功率、坚固性,涵盖基站、广播/ ISM 及航空航天 & 与国防应用的全部频率范围。


射频功率晶体管选型指南
零件编号封装/外壳Vds - 漏极-源极击穿电压Vgs - 栅极-源极击穿电压Id - 连续漏极电流Rds On — 漏极-源极电阻数据表







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射频微波晶体管

恩智浦半导体提供 BFU7xxF 微波晶体管,它们具有低噪声和高线性度,采用塑料、4 引脚双发射器 SOT343F 封装。BFU710F 微波晶体管的最大功率增益高达 14dB(12GHz下),噪声因数=1.45dB(12GHz下)BFU760F 微波晶体管的最大输出三阶截取点高达 32dBm(1.8GHz下)。BFU790F 微波晶体管的最大输出功率高达 1dB ,压缩20 dBm(1.8GHz下)。恩智浦半导体 BFU7xxF 微波晶体管的应用 包括高线性应用、中等输出功率应用、GPS、Zigbee 和蓝牙。

射频微波晶体管选型指南
零件编号封装/外壳集电极-发射极电压 VCEO 最大值连续集电极电流直流集电极/基本增益 hfe 最小值功率耗散数据表







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射频微波晶体管评估板
零件编号描述工具用于评估数据表




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发布日期: 2010-10-11 | 更新日期: 2026-01-29