Omron G3VH SiC MOSFET继电器

Omron G3VH SiC MOSFET继电器基于碳化硅 (SiC) MOSFET技术,可实现1000V或更高电压的切换。这些继电器支持高达1800V或3300V的负载电压,同时保持低导通电阻实现高效操作。G3VH继电器采用紧凑型6引脚DIP封装,触点配置为常开(1a/SPST-NO)。这些G3VH SiC MOSFET继电器具有50mA输入正向电流、输入输出之间高达5000Vrms的高隔离度,以及快速的切换性能。典型应用包括需要高压切换的半导体测试设备和电池管理系统 (BMS)。

特性

  • SiC MOSFET技术
  • 1800V至3300V负载电压
  • 低导通电阻
  • 环境工作温度范围:-40 °C至105 °C
  • 50mA输入正向电流
  • 紧凑型6引脚DIP封装
  • 1a (SPST-NO) 触点形式

应用

  • 半导体测试设备
  • 电池管理系统 (BMS)

绝对最大额定值 (Ta = 25°C)

图表 - Omron G3VH SiC MOSFET继电器

电气特性 (Ta = 25°C)

图表 - Omron G3VH SiC MOSFET继电器

封装尺寸

机械图纸 - Omron G3VH SiC MOSFET继电器
发布日期: 2026-06-10 | 更新日期: 2026-06-16