Omron Electronics G3VM-MT MOSFET继电器模块

Omron Electronics G3VM-MT MOSFET继电器模块提供高精度测量,可提高电子元件的效率。该继电器采用T型电路结构,尺寸紧凑,使用寿命更长。电路结构包括三个MOSFET继电器,有助于将漏电流降至最低水平,而不会影响精度。这些模块有21MT、61MT和101MT型号可供选择。Omron G3VM-MT可在主要用于对半导体器件进行电气测试的测试设备中切换测量信号。

特性

  • 采用小型封装,有助于减少印刷电路板上的安装空间
  • 主线路开路和子线路关闭时漏电流:1pA(VOFF= 20V时最大值)
  • 触点形式:1 A (SPST-NO) + T开关功能
  • 表面贴装

规范

  • 漏电流:1pA(最大值)
  • 最大负载电压:20V至100V
  • 连续负载电流:200mA至500mA(最大值)
  • 最大电阻:8 Ω至0.4 Ω,输出开启
  • 输出端子间电容:0.6 pF至23 pF
  • 触发LED最大正向电流:3 mA(25°C时)

视频

3-MOSFET结构(T模块)

框图 - Omron Electronics G3VM-MT MOSFET继电器模块
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物料编号 数据表 负载电流额定值 负载电压额定值 继电器触点形式 端接类型 导通电阻—最大值 输出类型
G3VM-21MT(TR01) G3VM-21MT(TR01) 数据表 200 mA 20 VAC, 20 VDC 1 Form A (SPST-NO) SMD/SMT MOSFET
G3VM-61MT(TR01) G3VM-61MT(TR01) 数据表 800 mA 60 VAC, 60 VDC 1 Form A (SPST-NO) Solder Pad 800 mOhms MOSFET
G3VM-101MT(TR01) G3VM-101MT(TR01) 数据表 550 mA 100 VAC, 100 VDC 1 Form A (SPST-NO) Solder Pad 1.5 Ohms MOSFET
发布日期: 2020-01-08 | 更新日期: 2024-03-25