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安森美半导体SuperFET^® III MOSFET

安森美半导体SuperFET^® III MOSFET是采用电荷平衡技术的高电压（T_J = 150ºC时为700V）超级结(SJ) MOSFET。该技术提供出色的低导通电阻（R_{DS (on)} 典型值为59mΩ或62mΩ）和较低的栅极电荷性能（典型值为78nC Qg）。SuperFET III MOSFET设计用于最大限度地减少导通损耗，提供超级开关性能和耐受漏-源电压的极端上升率 (dv/dt)。安森美半导体SuperFET III 非常适合用于各种电源系统，以便获得小型化和更高效率。