onsemi AFGHL75T65SQ场终止沟槽型IGBT
安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQ场终止沟槽型IGBT将第四代IGBT技术与最佳性能结合在一起。AFGHL75T65SQ场终止沟槽型IGBT具有低导通和开关损耗，可在各种无需反向恢复规范的应用中高效运行。
安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQ场终止沟槽型IGBT具有大电流能力、低饱和电压和紧密的参数分布。该IGBT非常适合用于汽车、车载和非车载充电器、直流-直流转换器应用。
特性
- 最高结温：+175 °C
- 具有正温度系数，便于并联工作
- 大电流承受能力
- 低饱和电压VCE(Sat) = 1.6V（典型值）（IC = 75A时）
- 零件100%经过ILM 测试
- 快速开关
- 参数分布紧密
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
应用
- 汽车
- 车载和非车载充电器
- DC-DC转换器
- 功率因数校正 (PFC)
- 工业逆变器
电路应用图
发布日期: 2020-12-08
| 更新日期: 2024-05-30