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onsemi FCB125N65S3 SUPERFET III MOSFET

安森美 (onsemi) FCB125N65S3 SUPERFET III MOSFET是一款高压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和栅极电荷性能。  该技术最大限度地降低导通损耗、提供出色的开关性能以及承受极端dv/dt比。安森美 (onsemi) FCB125N65S3 SUPERFET III有助于管理EMI问题，并可简化设计实施。典型应用包括电信/服务器电源、工业电源和不间断电源 (UPS)/太阳能。

特性

  • 高压SJ MOSFET
  • 采用电荷平衡技术
  • 最大限度地降低导通损耗
  • 具有出色的开关性能
  • 承受极高的dv/dt速率
  • 漏极-源极电压 (VDSS)：650V
  • 漏极-源极电阻RDSON ：125mΩ（最大值，10V时）
  • 低栅极电荷Qg ：46nC（典型值）
  • 低有效输出电容Coss(eff) ：439pF（典型值）
  • 100% 经雪崩测试

应用

  • 电信/服务器电源
  • 工业电源
  • UPS/太阳能

性能图表

性能图表 - onsemi FCB125N65S3 SUPERFET III MOSFET
发布日期: 2020-08-14 | 更新日期: 2024-05-29