FCB125N65S3

Name: onsemi FCB125N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-FCB125N65S3
Price: 49.04 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FCB125N65S3

制造商编号：

FCB125N65S3

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK

数据表:

FCB125N65S3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D²PAK-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	46 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	181 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	FCB125N65S3
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
单位重量:	7.326 g

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数据表

FCB125N65S3 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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