onsemi NTBLS1D5N08MC N沟道功率MOSFET
onsemi NTBLS1D5N08MC N沟道功率MOSFET具有较低的RDS(on) 、电容和QG，可最大限度地降低传导损耗和驱动器损耗。onsemi NTBLS1D5N08MC功率MOSFET可降低开关噪声，工作电压为80V(BR)DSS 、298A ID(max) 和1.53mΩ RDS(on)（10V时）。典型应用包括电动工具、电池驱动真空吸尘器、无人驾驶飞行器（UAV）/无人机、物料搬运、电池管理系统（BMS）/存储和家庭自动化。
特性
- 低导通电阻（RDS(on)），可最大限度地降低导通损耗
- QG 和电容较小，可使驱动器损耗最小化
- 低开关噪音/电磁干扰
- 无铅、无卤素/溴化阻燃剂，符合RoHS规范
应用
- 电动工具和电池供电真空吸尘器
- UAV/无人机和材料处理
- BMS/存储和家庭自动化
规范
- 80V漏极至源极击穿电压
- 栅极-源极电压：±20V
- 298A连续漏极电流
- 250W功率耗散
- 工作温度范围：-55 °C至+175 °C
发布日期: 2020-02-26
| 更新日期: 2024-05-20