onsemi NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺(结合屏蔽栅极技术)制造而成。该MOSFET可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。安森美半导体NTMFS011N15MC MOSFET具有低导通电阻 (RDS (ON)) 和栅极电荷 (Qg)。该MOSFET可降低开关损耗和电磁干扰 (EMI)。典型应用包括同步整流 (SR)、交流-直流和直流-直流电源、交流-直流适配器(USB供电)同步整流器和负载开关。

特性

  • 屏蔽栅极MOSFET技术
  • 低导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗
  • 栅极电荷 (QG) 和电容较小,可使驱动器损耗最小化
  • Qrr 比其他MOSFET供应商低50%
  • 降低开关噪声/EMI
  • MSL1 鲁棒封装设计
  • 100%经UIL测试

应用

  • 同步整流
  • 交流-直流和直流-直流电源
  • 交流-直流适配器 (USB PD) SR
  • 负载开关
  • 隔离式直流-直流电源中的一次侧MOSFET

性能图

性能图表 - onsemi NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET
发布日期: 2020-09-16 | 更新日期: 2024-06-04