onsemi NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET
安森美半导体NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺(结合屏蔽栅极技术)制造而成。该MOSFET可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。安森美半导体NTMFS011N15MC MOSFET具有低导通电阻 (R
DS (ON)) 和栅极电荷 (Q
g)。该MOSFET可降低开关损耗和电磁干扰 (EMI)。典型应用包括同步整流 (SR)、交流-直流和直流-直流电源、交流-直流适配器(USB供电)同步整流器和负载开关。
特性
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 低导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗
- 栅极电荷 (QG) 和电容较小,可使驱动器损耗最小化
- Qrr 比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/EMI
- MSL1 鲁棒封装设计
- 100%经UIL测试
应用
- 同步整流
- 交流-直流和直流-直流电源
- 交流-直流适配器 (USB PD) SR
- 负载开关
- 隔离式直流-直流电源中的一次侧MOSFET
发布日期: 2020-09-16
| 更新日期: 2024-06-04