onsemi NTP360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET
安森美半导体NTP360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET是一款高性能MOSFET，具有800V击穿电压 (VBR (DSS))。此SUPERFET优化用于反激式转换器的一次开关，可降低开关损耗和外壳温度，而不影响EMI性能。安森美半导体NTP360N80S3Z SUPERFET III设有内部齐纳二极管，可显著提高静电放电 (ESD) 能力。典型应用包括适配器/充电器、LED照明、辅助电源、音频和工业电源。
特性
- 优化用于反激式转换器的一次侧开关
- 实现更低开关损耗和外壳温度
- 内部齐纳二极管提高了ESD能力
- 漏极－源极电压 (V(BR)DSS)：800V
- 最大漏极－源极导通电阻 (RDS (on))：360mΩ
- 超低栅极电荷 (Qg)：25.3nC（典型值）
- 漏极电流 (ID)：13A
- 输出电容中的低存储能量 (Eoss)：2.72J（400V时）
- 100% 经雪崩测试
应用
- 适配器/充电器
- LED照明
- AUX电源
- 音频
- 工业电源
发布日期: 2020-09-16
| 更新日期: 2024-06-04