onsemi NTTFS1D2N02P1E功率MOSFET
onsemi NTTFS1D2N02P1E功率MOSFET是一款1mW、180A和25V N沟道功率MOSFET，具有传导损耗和驱动器损耗最小等优点。onsemi NTTFS1D2N02P1E功率MOSFET具有低RDS(on)、低QG 和电容。这款N沟道功率MOSFET采用先进的功率3.3mm×3.3mm封装技术，设计紧凑，占位面积小，具有出色的散热性能。典型应用包括直流-直流转换器、功率负载开关和次级整流。
特性
- 采用先进的功率3.3mm×3.3mm封装技术，设计紧凑，占位面积小
- 出色的热性能
- 低导通电阻（RDS(on)），可最大限度地降低导通损耗
- 低QG 和电容，可最大限度地减少驱动损耗
- 无铅、无卤素/溴化阻燃剂，符合RoHS规范
应用
- DC-DC转换器
- 电源负载开关
- 笔记本电脑电池管理
- 二次整流
- POL
- 服务器
- 电信设备
- 高端笔记本电脑
规范
- 25 V漏源电压
- 180ID 连续漏极电流
- 1mΩ RDS(on)（10V时）
- -55°C至+150°C工作结点和储存温度
发布日期: 2020-02-26
| 更新日期: 2024-05-21