特性
- 高压SJ MOSFET
- 领先的体二极管
- 反向恢复时具有较低过冲
- 切换噪音低
- 系统可靠性高
- 最大限度地降低导通损耗
- 出色的开关性能
- 承受极高的dv/dt速率
- 超低栅极电荷 (Qg):119nC (典型值)
- 更低品质因数 (FOM)
- 漏源电压 (VDSS):650V
- 漏极-源极导通电阻 (RDS (on)):50mΩ (最大值)
- 漏极电流 (ID):58A (最大值)
- 低有效输出电容 (COSS (eff)):1051pF(典型值)
- 100% 经雪崩测试
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
应用
- 汽车
- HEV车载充电器
- HEV/EV用直流/直流转换器
其他资源
发布日期: 2020-09-18
| 更新日期: 2024-06-03

