onsemi 单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET,具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗,低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅,符合RoHS指令,工作温度范围为- 55°C至175°。

特性

  • 低RDS(on)值,可最大限度地降低导通损耗
  • 低电容,可最大限度地降低驱动器损耗
  • 无铅,符合RoHS指令
  • 尺寸小,设计紧凑
  • 工作温度范围:-55°C至 175°C
  • 可湿性侧翼产品:
    • NVMFS5C406NLW, NVTFWS003N04C, NVTFWS015N04C
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
    • NVTFWS015N04C, NVTFWS003N04C, FDBL9406L-F085, NVMFS5C406NLWF.

规范

  • 30V to 650V drain-source breakdown voltage range
  • 27A to 464A continuous drain current range
  • 520µΩ to 950mΩ drain-source resistance range
  • 1.2V to 4.5V gate-source threshold voltage range
  • 6.3nC to 178nC gate charge range
  • 3.2W to 340W power dissipation range
View Results ( 38 ) Page
物料编号 数据表 描述 封装 / 箱体 Pd-功率耗散 Qg-栅极电荷 Vgs th-栅源极阈值电压 Rds On-漏源导通电阻 Id-连续漏极电流 典型接通延迟时间 典型关闭延迟时间 上升时间 下降时间
NTMFS006N12MCT1G NTMFS006N12MCT1G 数据表 MOSFET Power MOSFET, 120V Single N channel 93A, 6m Ohm in Power56 package SO-8FL-4 104 W 42 nC 4 V 6 mOhms 93 A
FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 数据表 MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 0.67 mohm, 240 A TO-LL8-8 180.7 W 148 nC 4 V 670 uOhms 240 A
NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC 数据表 MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 150V, 165A, 4.45mohm 292 W 79 nC 4.5 V 4.45 mOhms 165 A
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 数据表 MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 12 MOHMS MAX TO-LL8-8 136.4 W 75 nC 3.5 V 1.21 mOhms 240 A
NTMTS4D3N15MC NTMTS4D3N15MC 数据表 MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 150V, 174A, 4.45mohm, PQFN 8x8 DFN-8 293 W 79 nC 4.5 V 4.45 mOhms 174 A 38 ns 48 ns 11 ns 8 ns
NVTFS003N04CTAG NVTFS003N04CTAG 数据表 MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V WDFN-8 69 W 23 nC 2.5 V 3.5 mOhms 103 A 10 ns 19 ns 47 ns 3 ns
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G 数据表 MOSFET MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL SO-8FL 200 W 65 nC 2.2 V 620 uOhms 433 A
NTBLS1D7N08H NTBLS1D7N08H 数据表 MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1.7 mohm?, 203 A TO-LL8-8 167 W 121 nC 4 V 1.7 mOhms 203 A
NTMFS008N12MCT1G NTMFS008N12MCT1G 数据表 MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 120V, 79A, 8mohm SO-8FL-4 102 W 33 nC 4 V 8 mOhms 79 A
NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG 数据表 MOSFET MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm WDFN-8 3.2 W 20 nC 2.2 V 2.25 mOhms 162 A
发布日期: 2019-07-22 | 更新日期: 2025-07-16