onsemi FAN8811T高侧和低侧栅极驱动器IC
Fairchild FAN8811T高侧和低侧栅极驱动器IC设计用于工作电压高达100V的高压、高速驱动MOSFET。FAN8811集成了一个驱动器IC和一个自举二极管。该驱动器IC具有低延迟时间和匹配的PWM输入传播延迟，进一步提高了器件的性能。高速双栅极驱动器设计用于驱动半桥或同步降压配置的高侧和低侧N沟道MOSFET。
特性
- 驱动高侧和低侧两个N沟道MOSFET
- 用于高侧栅极驱动的集成自举二极管
- 自举电源电压高达118V
- 输出电流能力：3A拉电流/6A灌电流
- 驱动1nF负载，典型上升/下降时间为6ns/4ns
- TTL兼容输入阈值
- 宽电源电压范围：8V至16V（绝对最大值18V）
- 快速传播延迟时间（典型值30ns)
- 延迟匹配：2ns（典型值）
- 针对驱动电压的欠压闭锁 (UVLO) 保护
- 工作结温范围：-40°C至+125°C（典型值）
应用
- 电信和数据通信用电源
- 半桥和全桥转换器
- 同步降压转换器
- 双开关正向转换器
- D类音频放大器
框图
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发布日期: 2017-04-20
| 更新日期: 2025-12-08