onsemi NCV8161超低噪声和高PSRR LDO稳压器

安森美半导体NCV8161超低噪声和高PSRR LDO稳压器能够提供450mA输出电流,旨在满足射频和模拟电路要求。NCV8161器件具有低噪声、高PSRR、低静态电流和良好的负载/线路瞬态等。该器件设计用于与1µF输入和1µF输出陶瓷电容器配合使用。这些稳压器可采用TSOP-5和XDFN4封装。

特性

  • 工作输入电压范围:1.9V至5.5V
  • 提供固定电压选项:1.8V - 5.14V
  • 在整个温度范围内的精度为±2%
  • 待机电流:0.1µA(典型值)
  • 超低压差:225mV (450mA)
  • 超低静态电流:18µA(典型值)
  • 超低噪声:10µVRMS
  • 超高PSRR:98dB(20mA,f = 1kHz时典型值)
  • 需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用的NCV前缀;符合AEC-Q100标准并支持PPAP;第1级器件温度:-40°C至+125°C环境工作温度范围
  • 可通过小型1µF陶瓷电容器稳定工作
  • 可采用TSOP-5和XDFN4封装
  • 这些器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令

应用

  • 泊车相机模块
  • 无线手机、无线局域网、Bluetooth®、Zigbee®
  • 汽车信息娱乐系统
  • 其他电池供电应用

框图

框图 - onsemi NCV8161超低噪声和高PSRR LDO稳压器
发布日期: 2017-09-06 | 更新日期: 2022-03-11