onsemi 双NPN双极数字晶体管

安森美(onsemi)双通道NPN双极数字晶体管设计用于替代单个器件和额外的外部电阻器偏置网络。偏置电阻器晶体管(BRT)包含一个晶体管,其单片偏置网络由两个电阻器(一个串联基极电阻器和一个基极发射极电阻器)组成。通过将这些单独元件集成到单个器件中,这些安森美(onsemi)NPN双极数字晶体管上的BRT可简化电路设计并将其消除。BRT还降低了系统成本和电路板空间。

特性

  • 简化电路设计
  • 减小电路板空间
  • 这些器件无铅、无卤素/溴化阻燃剂,并符合RoHS规范
  • 减少了组件数量
  • S和NSV前缀用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;AEC-Q101合规并可进行PPAP生产

应用

  • I/O信号控制
  • 逻辑开关

引脚连接

原理图 - onsemi 双NPN双极数字晶体管
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物料编号 数据表 封装 / 箱体 描述
NSVBC144EDXV6T1G NSVBC144EDXV6T1G 数据表 SOT-563 数字晶体管 SS SOT563 RSTR XSTR TR
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G 数据表 SOT-363(PB-Free)-6 数字晶体管 SS BR XSTR NPN 50V
MUN5213DW1T3G MUN5213DW1T3G 数据表 SOT-363-6 数字晶体管 SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
NSBC144EDP6T5G NSBC144EDP6T5G 数据表 SOT-963-6 数字晶体管 SOT-963 DUAL NBRT
NSBC144EDXV6T1G NSBC144EDXV6T1G 数据表 SOT-563-6 数字晶体管 100mA 50V Dual NPN
NSVMUN5213DW1T3G NSVMUN5213DW1T3G 数据表 SOT-363-6 数字晶体管 SS SC88 BR XSTR NPN 50V
SMUN5213DW1T1G SMUN5213DW1T1G 数据表 SOT-363-6 数字晶体管 SS BR XSTR NPN 50V
发布日期: 2024-05-15 | 更新日期: 2025-05-22