onsemi C系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器
安森美 (onsemi) C系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器具有业界领先的暗计数率(低至30kHz/mm
2),以及出色的击穿电压均匀性 (±250mV)。借助大容量CMOS工艺,在光谱的蓝色部分实现了较高的光子探测效率 (PDE)。这些传感器采用1mm、3mm和6mm尺寸,以及各种微电池尺寸。这些器件采用可平铺的模制引线框架 (MLP) 封装,该封装与行业标准、无铅、回流焊接工艺兼容。C系列还具有独特的快速输出,可用于快速定时应用。
特性
- 420nm时PDE大于40%,高达300nm的灵敏度有助于提高UV灵敏度
- 30kHz/mm2的超低暗计数率
- 所有C系列产品均具有出色的击穿电压均匀性 (±250mV)
- 21.5mV/°C的温度稳定性
- 300ps的超快上升时间,独特的“快速输出”端子可产生600ps脉冲宽度
- <30V的偏置电压
- 传感器尺寸:1mm、3mm和6mm
- 传统PMT的固态替代方案,适用于各种应用
- 106的高增益可实现单光子灵敏度
- 业内出色的Vbr均匀性
- 紧凑、坚固的包装
- 可提供带SMA连接器或引脚的评估板以方便评估
相关产品
具有高增益、快速定时和出色的PDE,以及SST相关的实际优势。
相关开发工具
便于评估C系列SMT传感器的印刷电路板 (PCB)。
内置SMT传感器,设有通孔引脚,可与标准插座或探针夹一起使用。
发布日期: 2018-11-16
| 更新日期: 2025-07-16