onsemi C系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器

安森美 (onsemi) C系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器具有业界领先的暗计数率(低至30kHz/mm2),以及出色的击穿电压均匀性 (±250mV)。借助大容量CMOS工艺,在光谱的蓝色部分实现了较高的光子探测效率 (PDE)。这些传感器采用1mm、3mm和6mm尺寸,以及各种微电池尺寸。这些器件采用可平铺的模制引线框架 (MLP) 封装,该封装与行业标准、无铅、回流焊接工艺兼容。C系列还具有独特的快速输出,可用于快速定时应用。

特性

  • 420nm时PDE大于40%,高达300nm的灵敏度有助于提高UV灵敏度
  • 30kHz/mm2的超低暗计数率
  • 所有C系列产品均具有出色的击穿电压均匀性 (±250mV)
  • 21.5mV/°C的温度稳定性
  • 300ps的超快上升时间,独特的“快速输出”端子可产生600ps脉冲宽度
  • <30V的偏置电压
  • 传感器尺寸:1mm、3mm和6mm
  • 传统PMT的固态替代方案,适用于各种应用
  • 106的高增益可实现单光子灵敏度
  • 业内出色的Vbr均匀性
  • 紧凑、坚固的包装
  • 可提供带SMA连接器或引脚的评估板以方便评估

应用

  • 医学影像
  • 危险与威胁
  • 3D测距和传感
  • 生物光子学与科学
  • 高能物理
发布日期: 2018-11-16 | 更新日期: 2025-07-16