onsemi e2PowerEdge低VCE(sat)晶体管
安森美 (onsemi) e2PowerEdge低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和大电流增益能力。这些器件设计用于经济高效的能量控制至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用包括便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理,如蜂窝和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用包括大容量存储产品中的低压电机控制,如光盘和磁带驱动器。这些器件可用于汽车行业的安全气囊部署和仪表板。大电流增益使得安森美(onsemi)e2PowerEdge器件可直接由PMU的控制输出驱动,线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想元件。特性
- 大电流
- 低VCEsat
- 静电放电(ESD)稳健耐用
- 大电流增益
- 高截止频率
- 薄型封装
- 线性增益(Beta)
应用
- 负载开关
- 电池充电
- 外部传输晶体管
- 直流-直流转换器
- 互补驱动器
- 电流扩展和低压差调节
- 阴极荧光灯驱动
- 外设驱动器 - LED、电机和继电器
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| 物料编号 | 数据表 | 封装 / 箱体 | 晶体管极性 | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 集电极—射极饱和电压 | 最大直流电集电极电流 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NSS40301MDR2G | ![]() |
SOIC-8 | NPN | 40 V | 82 mV | 3 A |
| NSV1C301CTWG | ![]() |
LFPAK-4 | ||||
| NSS40300DDR2G | ![]() |
SOIC-8 | PNP | 40 V | 135 mV | 3 A |
| NSS40300MDR2G | ![]() |
SOIC-8 | PNP | 40 V | 135 mV | 3 A |
| NSS40301CTWG | ![]() |
LFPAK-4 | ||||
| NSS40302PDR2G | ![]() |
SOIC-8 | NPN, PNP | 40 V | 82 mV, 135 mV | 3 A |
| NSS12100UW3TCG | ![]() |
WDFN3 | PNP | 12 V | 400 mV | 1 A |
| NSS1C301CTWG | ![]() |
LFPAK-4 | ||||
| NSS20200DMTTBG | ![]() |
WDFN6 | 20 V | 250 mV | ||
| NSS60200LT1G | ![]() |
SOT-23-3 | PNP | 60 V | 180 mV | 2 A |
发布日期: 2024-05-14
| 更新日期: 2025-10-27

