onsemi e2PowerEdge低VCE(sat)晶体管

安森美 (onsemi) e2PowerEdge低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和大电流增益能力。这些器件设计用于经济高效的能量控制至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用包括便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理,如蜂窝和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用包括大容量存储产品中的低压电机控制,如光盘和磁带驱动器。这些器件可用于汽车行业的安全气囊部署和仪表板。大电流增益使得安森美(onsemi)e2PowerEdge器件可直接由PMU的控制输出驱动,线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想元件。

特性

  • 大电流
  • 低VCEsat
  • 静电放电(ESD)稳健耐用
  • 大电流增益
  • 高截止频率
  • 薄型封装
  • 线性增益(Beta)

应用

  • 负载开关
  • 电池充电
  • 外部传输晶体管
  • 直流-直流转换器
  • 互补驱动器
  • 电流扩展和低压差调节
  • 阴极荧光灯驱动
  • 外设驱动器 - LED、电机和继电器
View Results ( 23 ) Page
物料编号 数据表 封装 / 箱体 晶体管极性 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 最大直流电集电极电流
NSS40301MDR2G NSS40301MDR2G 数据表 SOIC-8 NPN 40 V 82 mV 3 A
NSV1C301CTWG NSV1C301CTWG 数据表 LFPAK-4
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G 数据表 SOIC-8 PNP 40 V 135 mV 3 A
NSS40300MDR2G NSS40300MDR2G 数据表 SOIC-8 PNP 40 V 135 mV 3 A
NSS40301CTWG NSS40301CTWG 数据表 LFPAK-4
NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G 数据表 SOIC-8 NPN, PNP 40 V 82 mV, 135 mV 3 A
NSS12100UW3TCG NSS12100UW3TCG 数据表 WDFN3 PNP 12 V 400 mV 1 A
NSS1C301CTWG NSS1C301CTWG 数据表 LFPAK-4
NSS20200DMTTBG NSS20200DMTTBG 数据表 WDFN6 20 V 250 mV
NSS60200LT1G NSS60200LT1G 数据表 SOT-23-3 PNP 60 V 180 mV 2 A
发布日期: 2024-05-14 | 更新日期: 2025-10-27