onsemi PowerTrench® MOSFET
仙童 提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童 提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET，利用其先进的 Power Trench® 工艺，该工艺经优化实现了低 RDS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要，如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
onsemi has expanded the line of PowerTrench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current, and RDS(ON). This expansion includes advanced package and silicon combinations for low RDS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next-generation enhanced body diode technology.
Typical applications include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low-side switches, telecom secondary-side rectification, and load switches.
特性
- Broad PowerTrench MOSFET portfolio
- N-channel and P-channel versions that use advanced PowerTrench process
- Low RDS(ON) switching performance and ruggedness
应用
- Load switches
- Primary switches
- Mobile computing
- DC-DC converters
- Synchronous rectifiers
Related MOSFETs
onsemi FDMx75x PowerTrench® MOSFETs & SyncFETs™
Exceptionally low ON-resistance and high efficiency.
onsemi / Fairchild FDD86102 N通道PowerTrench® MOSFET
优化用于导通电阻、开关工艺和耐用性。
onsemi FDMS4D5N08LC 80V单N通道功率MOSFET
一款PowerTrench MOSFET，可最大限度降低导通电阻，实现出色的开关性能。
onsemi 屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET
采用集成了屏蔽栅极技术的先进PowerTrench工艺研发而成的N沟道MV MOSFET。
onsemi N通道PowerTrench® MOSFET
PowerTrench®工艺将通态电阻降至最低，同时保持出众的开关性能。
onsemi N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs
Designed to minimize losses in power conversion applications and minimize the on-state resistance.
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。
onsemi FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs
Features superior switching performance and optimized on-state resistance.
onsemi 屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET
可最大限度地降低导通损耗、裸片损耗、开关噪声、EMI，占位面积小。
onsemi NTTFSxD1N0xHL N通道PowerTrench® MOSFET
采用高性能屏蔽栅极MOSFET技术，可实现极低导通电阻 (RDS (on))。
onsemi 屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET
具有150V漏源击穿电压 (V(BR) DSS)、139A最大漏极电流 (ID) 和5mΩ 导通电阻 (RDS (on))（10V时），可降低开关噪声/EMI。
onsemi 150V P 沟道 PowerTrench® MOSFET
具有非常低的导通电阻和很少的栅极电荷，是负载开关应用的理想之选。
onsemi NTMFSC PowerTrench® MOSFET
具有低RDS(on)，同时保持了出色的开关性能，采用DFN-8封装。
onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs
Low on resistance single package solution for portable apps.
onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N沟道PowerTrench® MOSFET
10V RDS(on) 时，可提供较高的热性能和较低的1.8mΩ，从而最大限度地减少传导损耗。
onsemi NVBLS1D5N10MC N沟道PowerTrench® MOSFET
具有卓越的热性能和低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗。
onsemi / Fairchild FDMC86262P P 沟道 PowerTrench MOSFET
专为降低通态电阻并实现出色的开关性能而定制。
Learn More About
Related Applications
onsemi PowerTrench技术
从T6到T10的转变尤其代表了PowerTrench技术的进步。
