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onsemi FGHL50T65SQ FS4高速IGBT

安森美 (onsemi) FGHL50T65SQ FS4高速IGBT是采用最新场终止型第4代技术的单IGBT。该IGBT具有大电流能力、低饱和电压、高输入阻抗和快速开关特性。FGHL50T65SQ IGBT具有出色的性能和高效率以及低导通损耗和开关损耗。该IGBT在650V集电极-发射极电压下工作，具有50A集电极电流，采用TO-247-3L封装。典型应用包括功率因数校正 (PFC)、太阳能逆变器、UPS、电子开关系统 (ESS)、焊接设备和电信。

特性

  • 采用场终止型第4代技术
  • 低导通损耗
  • 低开关损耗
  • 高速开关
  • 大电流能力
  • 高输入阻抗
  • 精确的参数分配
  • 具有正温度系数，便于并联操作
  • 符合RoHS指令

应用

  • 功率因数校正 (PFC)
  • 太阳能逆变器
  • 焊接设备
  • UPS
  • 电信
  • 电子开关系统 (ESS)

规范

  • 650V集电极-发射极电压 (VCES)
  • ±20V栅极-发射极电压 (VGES)
  • 200A最大集电极电流 (IC) (TC=25°C)
  • 268W最大功耗 (PD) ( TC=25°C)
  • 低饱和电压VCE(sat)：1.6V（典型值，IC=50A）
  • 工作结温范围：-55°C至175°C
  • TO-247-3L封装

资源

FGHL50T65SQ性能图

性能图表 - onsemi FGHL50T65SQ FS4高速IGBT
发布日期: 2019-03-04 | 更新日期: 2024-01-18