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onsemi FOD3125高温栅极驱动光耦合器

安森美半导体FOD3125高温栅极驱动光耦合器可提供2.5A输出电流，设计用于在高达125°C温度下驱动大多数中等功率IGBT/MOSFET。FOD3125非常适合用于对用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统的功率IGBT和MOSFET进行快速开关驱动。FOD3125栅极驱动光耦合器采用安森美半导体专有的Optoplanar®封装技术和经过优化的IC设计，具有高抗噪能力以及高共模抑制特性。

FOD3125栅极驱动光耦合器包含一个砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管，它与一个用于推挽式MOSFET输出级的高速驱动器集成电路进行光耦合。

特性

  • 扩展工业温度范围：-40°C至125°C
  • 以共模抑制为特点的高抗噪性，最小35kV/µs
  • 2.5A峰值输出电流驱动能力，适用于大部分1200V/20A IGBT
  • 在输出级使用P通道MOSFET实现了接近于电源轨的输出电压摆幅
  • 宽电源电压范围：15V至30V
  • 开关速度快
    • 传播延迟：400ns（最大值）
    • 脉冲宽度失真：100ns（最大值）
  • 带迟滞的欠压锁定 (UVLO)
  • 安全和监管（待批准） 
    • UL1577，5000 VACRMS，持续1分钟
    • DIN EN/IEC60747-5-5，1,414V峰值工作绝缘电压 (VIORM)
  • RDS(ON) 为1Ω（典型值），实现了低功耗
  • 1414V峰值工作绝缘电压 (VIORM)
  • 无铅器件

应用

  • 工业逆变器
  • 不间断电源
  • 感应加热
  • 隔离式IGBT/功率MOSFET栅极驱动

框图

onsemi FOD3125高温栅极驱动光耦合器
发布日期: 2019-04-17 | 更新日期: 2024-01-29