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onsemi LFPAK4工业用功率MOSFET

安森美半导体LFPAK4工业用功率MOSFET是单N通道MOSFET，占位面积小 (5mm x 6mm)，非常适合用于紧凑型设计。这些器件具有低漏极-源极导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，并具有低栅极电荷和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。这些工业级功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，具有较宽的工作温度范围（-55°C至+175°）。

特性

  • 占位面积小 (5mm x 6mm)，用于紧凑型设计
  • 低RDS(on) 可最大限度地降低导通损耗
  • QG和电容低，最大限度地降低驱动器损耗
  • 行业标准LFPAK4封装
  • 无铅，符合RoHS指令

特性

  • 开关模式电源
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 感应加热设备
  • 电机驱动器
  • 风电转换器
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物料编号 数据表 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Qg-栅极电荷 Pd-功率耗散
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG 数据表 40 V 138 A 2.3 mOhms 32 nC 83 W
NTMYS7D3N04CLTWG NTMYS7D3N04CLTWG 数据表 40 V 52 A 7.3 mOhms 7 nC 38 W
NTMYS014N06CLTWG NTMYS014N06CLTWG 数据表 60 V 36 A 15 mOhms 9.7 nC 37 W
NTMYS5D3N04CTWG NTMYS5D3N04CTWG 数据表 40 V 71 A 5.3 mOhms 16 nC 50 W
NTMYS8D0N04CTWG NTMYS8D0N04CTWG 数据表 40 V 49 A 8.1 mOhms 10 nC 38 W
NTMYS025N06CLTWG NTMYS025N06CLTWG 数据表 60 V 21 A 27.5 mOhms 2.7 nC 24 W
NTMYS011N04CTWG NTMYS011N04CTWG 数据表 40 V 35 A 12 mOhms 7.9 nC 28 W
NTMYS021N06CLTWG NTMYS021N06CLTWG 数据表 60 V 27 A 21 mOhms 5 nC 28 W
发布日期: 2019-08-30 | 更新日期: 2024-02-27