onsemi MC74VHC1GT125 3态缓冲器

安森美MC74VHC1GT125三缓冲器是封装占位微小的非反相器件,设计采用2V至5.5V VCC 电压运行。这些三态缓冲器采用TTL电平输入阈值设计。内部电路分为三个阶段,其中包括一个具备高抗噪性和稳定输出的三态缓冲输出。MC74VHC1GT125缓冲器支持高达5.5 V的输入/输出过压容差。这款缓冲器有SC-88A、SC-74A、SOT-953和UDFN6多种封装。MC74VHC1GT125器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。

特性

  • 设计采用2.0V至5.5V VCC 电压运行
  • tPD :3.5ns(在5V的典型值时)
  • 耐过压输入/输出:高达5.5 V
  • IOFF 支持局部断电保护
  • 3.0 V时的拉/灌电流:8mA
  • 采用SC-88A、SC-74A、SOT-953及UDFN6多款封装
  • 低功耗:TA = 25°C时,ICC最大值为1µA
  • 芯片复杂度<100个FET
  • 兼容TTL输入:VIL = 0.8V,VIH = 2.0V
  • -Q后缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车及其他应用
  • 符合AEC-Q100标准并具有PPAP功能
  • 此系列器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS标准

逻辑符号

onsemi MC74VHC1GT125 3态缓冲器
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物料编号 数据表 逻辑系列 工作电源电流 Pd-功率耗散 传播延迟时间
MC74VHC1GT125DBVT1G-Q MC74VHC1GT125DBVT1G-Q 数据表 50 mA 390 mW 3.5 ns
MC74VHC1GT125MU1TCG-Q MC74VHC1GT125MU1TCG-Q 数据表 VHC 812 mW 11.5 ns
MC74VHC1GT125DFT2G-Q MC74VHC1GT125DFT2G-Q 数据表 TTL 50 mA 332 mW 6.4 ns
MC74VHC1GT125DFT1G MC74VHC1GT125DFT1G 数据表 VHC 50 mA 332 mW 3.5 ns
MC74VHC1GT125DFT2G MC74VHC1GT125DFT2G 数据表 VHC 50 mA 332 mW 3.5 ns
MC74VHC1GT125DFT1G-Q MC74VHC1GT125DFT1G-Q 数据表 TTL 50 mA 332 mW 6.4 ns
MC74VHC1GT125DBVT1G MC74VHC1GT125DBVT1G 数据表 VHC 1 uA 225 mW 11.5 ns, 7.5 ns
MC74VHC1GT125MU1TCG MC74VHC1GT125MU1TCG 数据表 VHC 1 uA 223 mW 4.5 ns
MC74VHC1GT125MU2TCG MC74VHC1GT125MU2TCG 数据表 VHC 1 uA 223 mW 4.5 ns
MC74VHC1GT125MU3TCG MC74VHC1GT125MU3TCG 数据表 VHC 1 uA 223 mW 4.5 ns
发布日期: 2024-09-30 | 更新日期: 2024-10-28