onsemi NPN双极数字晶体管

onsemi NPN双极数字晶体管是单片偏置电阻网络,旨在取代单 器件及其外部电阻偏置网络。这些偏置电阻器 晶体管(BRT)由两个电阻器组成:一个串联基极电阻器(22k Ω)和一个基极-发射极电阻器(47kΩ)。BRT消除了单个组件,将其集成到一个设备中。该BRT符合AEC-Q101标准 并具有PPAP功能。BRT不含铅、卤素/BFR,符合RoHS指令。典型应用包括反向电池保护、 DC-DC转换器输出驱动器和高速开关。

特性

  • 减小电路板空间
  • 减少元件数量
  • 简化电路设计
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)
  • 符合RoHS指令

应用

  • 反向电池保护
  • 直流-直流转换器输出驱动器
  • 高速切换

规范

  • 22kΩ基极电阻和47kΩ基极-发射极电阻
  • 100mADC 集电极电流
  • 8VDC 输入反向电压
  • 40VDC 输入正向电压
  • 50VDC 集电极-基极电压(VCBO)和集电极-发射极电压(VCEO

引脚连接

框图 - onsemi NPN双极数字晶体管
发布日期: 2023-12-13 | 更新日期: 2024-05-20