onsemi N通道80V汽车用功率MOSFET
安森美半导体N通道80V汽车用功率MOSFET采用8mm x 8mm扁平引线封装，非常适合紧凑高效的设计。该款单N通道80V器件具有1.1mΩ RDS(on)（漏极-源极导通电阻）。该MOSFET包括可湿性侧翼选项，用于增强光学检测。该器件符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，因此适合用于汽车应用。
特性
- 1.1mΩ RDS(on)（漏源电阻）
- 8mm x 8mm扁平引线紧凑型设计
- SMD/SMT安装方式
- 337A ID连续漏极电流
- 20V VGS（栅极-源极）
- 4V VGS（栅极-源极阈值）
- 80V VDS（漏源击穿）
- 147nC Qg（栅极电荷）
- 300W PD（功率耗散）
- 19ns下降时间
- 14ns上升时间
- 关断延迟：66ns（典型值）
- 接通延迟：29ns（典型值）
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 符合RoHS指令
- 工作温度范围：-55°C至+175°C
应用
- 反向电池保护
- 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）
- 用于ECU、底盘、车身的负载开关
Related MOSFETs
onsemi Trench8 MOSFET
MOSFET具有低RDS(ON) 、超低Qg 和低Qg x RDS(ON)（这是一个关键品质因数 (FOM)）。
发布日期: 2019-10-25
| 更新日期: 2024-02-15