onsemi NCD57090和NCV57090 IGBT/MOSFET栅极驱动器
安森美 (onsemi) NCD57090和NCV57090 IGBT/MOSFET栅极驱动器是大电流、单通道栅极驱动器，用于IGBT和MOSFET，具有5kVrms内部电流隔离。NCD57090和NCV57090在大功率应用中提供高系统效率和可靠性。这些器件接受互补输入，并根据引脚配置，提供有源米勒钳位、负电源以及独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出等选项，以便于系统设计。NCD57090和NCV57090具有宽输入偏置电压范围和3.3V至20.0V信号电平。
安森美NCD57090和NCV57090 IGBT/MOSFET栅极驱动器采用紧凑型SOIC-8封装。NCV57090符合汽车应用类AEC-Q100标准并具有PPAP功能。
特性
- 符合AEC-Q100标准并具有PPAP功能（仅限NCV57090）
- 高峰值输出电流：+6.5A/-6.5A
- 低钳位电压降无需通过负电源防止杂散栅极导通（版本A、D、F）
- 传播延迟时间短，具有精确匹配
- 短路期间的IGBT/MOSFET栅极钳位
- IGBT/MOSFET栅极有源下拉
- UVLO阈值小，实现偏置灵活性
- 宽偏置电压范围，包括负VEE2（版本B）
- 3V、5.0V和15.0V逻辑输入
- 5kVrms电隔离
- 高瞬态抗扰度
- 高电磁抗扰度
- 最高结温：150°C
- 工作温度范围：-40°C至 +125°C
- SOIC-8封装
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
- 汽车应用（仅限NCV57090）
- 电机控制
- 不间断电源 (UPS)
- 工业电源
- 太阳能逆变器
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| 更新日期: 2024-03-05