onsemi NCD57201和NCV57201半桥栅极驱动器

安森美NCD57201和NCV57201半桥栅极驱动器具有一个非隔离式低侧栅极驱动器和一个电隔离式高侧或低侧栅极驱动器。NCD57201和NCV57201可以在半桥配置中直接驱动两个IGBT。该隔离式高侧驱动器可由隔离式电源或由低侧电源采用自举技术供电。高侧栅极驱动器的电隔离可确保为工作电压高达800V（高dv/dt）的IGBT在大功率应用中提供可靠的开关功能。NCD57201和NCV57201的优化输出级提供降低IGBT损耗的途径。该器件还具有两个独立输入，拥有死区和联锁、精确的非对称UVLOs以及短而匹配的传播延迟。NCD57201和NCV57201的工作电压V_DD/V_BS 高达20V。