onsemi NCP81075双MOSFET栅极驱动器

安森美半导体NCP81075双MOSFET栅极驱动器设计用于在同步降压转换器中驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极。NCP81075集成了驱动器IC和片上自举二极管，无需外部分立二极管。该器件采用高浮动高侧驱动器设计，可适应高达180V的高侧自举电源电压。低侧和高侧独立受控，在彼此的打开和关闭之间匹配至4ns。当驱动电压低于特定阈值时，可为高侧和低侧驱动器提供独立的欠压锁定，强制输出低电平。NCP81075采用SOIC-8、DFN8和WDFN10封装，具有较高的设计灵活性。这些器件无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。