onsemi NCV8405A/B自保护低侧驱动器
安森美 (onsemi) NCV8405A和NCV8405B自保护低侧驱动器是完全自保护的低侧智能MOSFET驱动器，专为在恶劣的汽车和工业环境中提供可靠的开关性能而设计。这三个终端设备集成了全面的保护功能，包括短路电路保护、带自动重启的热关断、通过内部漏极到栅极钳位的过电压保护、ESD保护以及强大的dV/dt抗扰性，使得安森美 (onsemi) NCV8405A和NCV8405B驱动器在严苛的电气环境中具有卓越的抗干扰能力。
这些驱动器支持逻辑电平（模拟）驱动能力，可轻松与微控制器和其他低电压控制电路进行接口连接。NCV8405A和NCV8405B作为符合AEC‑Q101标准的设备，满足严格的汽车可靠性标准，并采用无铅、无卤素、符合RoHS标准的封装。
从电气特性方面，两种版本都具有42V的漏极间钳位击穿电压，在VGS=10V时典型的RDS(on)为90mΩ，电流能力高达6A，基于输入条件在内部受到限制。275mJ单脉冲雪崩能量等级进一步增强了其坚固性，适用于切换电阻性、电感性或电容性负载。NCV8405A和NCV8405AB设备采用SOT-223和DPAK封装，为在各种汽车和工业应用中替换机电继电器或分立开关电路提供了紧凑且散热高效的选择。
特性
- 短路保护
- 带自动重启功能的热关端
- 过压保护
- 用于感应开关的集成钳位
- ESD保护
- 高dV/dt耐受能力
- 内部限制的漏极连续电流
- 模拟驱动力能力（逻辑电平输入）
- DPAK和SOT-223封装选项
- NCV前缀适用于汽车及其他对场地和控制变更有特殊要求的应用，符合AEC-Q101标准并支持PPAP。
- 无铅、无卤/无BFR，符合 RoHS 标准
应用
- 切换各种电阻性、电感性及电容性负载
- 可替代机电继电器和分立电路
- 汽车和工业
规范
- 内部钳位源极到漏极电压最大为42V
- 内部钳位栅极到漏极电压最大为42V
- 栅极到源极电压最大为±14V
- 耗散功率范围
- DPAK的功率为2.0W至40W
- 1.0 W至11.4 W (SOT-223)
- 最大单脉冲漏极到源极雪崩能量为275mJ
- 最大负载电压为53V
- 关态特性
- 漏极到源极击穿电压范围为42V至51V
- 零栅极电压漏极电流范围为2.0µA至10µA
- 最大栅极输入电流：100µA
- 通态特性
- 栅极阈值电压范围：1.0V至2.0V
- 典型栅极阈值温度系数：4.0mV/°C
- 最大静态漏极-源极导通电阻范围：100mΩ至210mΩ
- 典型源极-漏极正向导通电压：1.05V
- 交换
- 典型开通时间为20µs
- 典型关断时间为110µs
- 典型开通斜率为1V/µs
- 典型关断斜率为0.4V/µs
- 自保护特性
- 电流限制范围为3.0A至13A
- 温度限制（关断）范围为+150°C至+200°C，在5V时具有15°C的迟滞性
- 温度限制（关断）范围为+150°C至+185°C，在10V时具有15°C的迟滞性
- 栅极输入特性
- 典型器件通电栅极输入电流范围：50µA (5V) 至400µA (10V)
- 典型电流限制栅极输入电流范围：0.05mA (5V) 至0.4mA (10V)
- 典型热限故障栅极输入电流范围为0.22mA (5V) 至1.0mA (10V)
- 工作结温范围：-40 °C至+150 °C
- 最小ESD保护
- 4000 V人体模型 (HBM)
- 400 V机器模型 (MM)
原理图
发布日期: 2026-02-27
| 更新日期: 2026-03-03