onsemi NTBL012N065M3S EliteSiC MOSFET
安森美 (onsemi) NTBL012N065M3S EliteSiC MOSFET具有650V漏-源额定电压，漏极电流可达142A左右（25°C时）。该MOSFET特点：12mΩ的极低导通电阻（VGS=18V时）、高速开关电容低 (Coss=268pF)、超低栅极电荷（QG(tot)=143nC）。NTBL012N065M3S MOSFET已100%通过雪崩测试，可在-55°C至+175°C宽温度范围内工作。这款MOSFET提供有表面贴装H-PSOF8L封装。典型应用包括开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、储能和EV充电基础设施。
特性
- 12mΩ典型RDS(ON)（VGS=18V时）
- 143nC超低栅极电荷 (QG(tot))
- 高速开关低电容 (Coss=268pF)
- 100% 经雪崩测试
- 不含卤素
- 符合RoHS指令（7a豁免）
- 2LI（第二层互连上）无铅
应用
- 开关模式电源(SMPS)
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 储能
- EV充电基础设施
规范
- 650V漏-源电压额定值
- 漏极连续电流：
- 25°C时142A
- 100°C时101A
- 199mJ单脉冲雪崩能量（ILPK=63A，L=0.1mH，IAS=63A，VDD=100V，VGS=18V）
- 耗散功率：
- 576（25 °C时）
- 288W（100°C时）
- -55°C至+175°C工作温度范围
尺寸图
发布日期: 2026-06-02
| 更新日期: 2026-06-30