onsemi NTHL045N065SC1碳化矽(SIC)MOSFET

安森美NTHL045N065SC1碳化矽(SIC)采用了一种全新的技术,与硅相比,提供了卓越的开关性能和高可靠性。这种芯片大小的MOSFET结构紧凑,具有低导通电阻,可确保低电容和栅极电荷。  NTHL045N065SC1 MOSFET具有高效率、快速工作频率、高功率密度、低EMI以及较小的系统尺寸等特性。典型应用包括开关模式电源(SMPS)、太阳能逆变器、DC-DC转换器、UPS和储能。

特性

  • 高速开关,具有低电容(Coss= 162pF)
  • 典型RDS(on)= 32m,在VGS= 18V时
  • 典型RDS(on)= 42m,在VGS= 15V时
  • 650V漏源电压(VDSS
  • 66A漏极连续电流(ID max)
  • 超低栅极电荷(QG(tot)= 105nC)
  • 100%经雪崩测试
  • 高结温(TJ < 175°C)
  • 无铅和符合RoHS标准

应用

  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)
  • DC-DC转换器
  • 太阳能逆变器
  • 能量存储
发布日期: 2022-02-21 | 更新日期: 2023-08-04