onsemi NTMC083NP10M5L双N&P通道功率MOSFET

安森美半导体NTMC083NP10M5L双N&P通道功率MOSFET设计采用低栅极电荷 (Q_G) 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该MOSFET具有低漏极-源极导通电阻R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗。该器件采用标准尺寸（5mm x 6mm）紧凑设计，无ESD保护。NTMC083NP10M5L功率MOSFET非常适合用于电动工具、电池供电真空吸尘器、无人飞行器 (UAV)/无人机、材料搬运、电机驱动和家居自动化。