onsemi NTMFS0D8N02P1E N沟道功率MOSFET

onsemi NTMFS0D8N02P1E MOSFET采用先进的SO-8FL 5mmx6mm封装,具有紧凑的设计、出色的热性能和较小的占位面积。这款单N沟道MOSFET具有低QG/电容,可最大限度地减少驱动器损耗,并提供超低RDS(on),以最大限度地减少传导损耗。onsemi NTMFS0D8N02P1E MOSFET是直流-直流转换器、电源负载开关、电机控制、电池管理、笔记本电脑和台式电脑、服务器、电信、计算和通信设备的理想选择。

特性

  • 采用5mmx6mm占位面积,设计紧凑,先进的SO-8FL技术
  • 低导通电阻(RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗
  • 出色的热性能
  • QG 和电容较小,可使驱动器损耗最小化
  • 无铅、无卤素/BFR,符合RoHS规范的器件

应用

  • DC-DC转换器
  • 电源负载开关
  • 电机控制
  • 电池管理
  • 笔记本电脑和台式电脑
  • 电信和服务器
  • 计算和通信设备

配置

原理图 - onsemi NTMFS0D8N02P1E N沟道功率MOSFET
发布日期: 2020-07-01 | 更新日期: 2024-05-23