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onsemi NTMYS010N04CL 40V工业用功率MOSFET

安森美半导体NTMYS010N04CL 40V工业用功率MOSFET的占位面积小 (5mm x 6mm)，具有低RDS(on)、低栅极电荷 (QG) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低QG和低电容可最大限度降低驱动器损耗。该款单N通道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，具有较宽的工业级工作温度范围（-55°C至+175°）。

特性

  • 低RDS(on) 可最大限度地降低导通损耗
    • 10.3mΩ @ 10V
    • 17.6mΩ @ 4.5V
  • 连续漏极电流 (ID)：38A（最大值）
  • 漏极-源极电压 (VDSS)：40V
  • 栅极-源极电压 (VGS)：±20V
  • 体二极管拉电流 (IS)：24A
  • 低总栅极电荷 (QG(TOT))：7.3nC
  • 输入电容 (CISS)：570pF
  • 输出电容 (COSS)：230pF
  • 反向恢复时间 (tRR)：18ns
  • 充电时间 (ta)：9ns
  • 放电时间 (tD)：9ns
  • 工作结温 (TJ) 范围：-55°C至+175°C
  • LFPAK4封装
  • 无铅，符合RoHS指令

应用

  • 开关模式电源
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 感应加热设备
  • 电机驱动器
  • 风电转换器

内部原理图

原理图 - onsemi NTMYS010N04CL 40V工业用功率MOSFET

封装尺寸

机械图纸 - onsemi NTMYS010N04CL 40V工业用功率MOSFET

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发布日期: 2019-08-27 | 更新日期: 2024-02-27