onsemi NTTFS008P03P8Z P沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NTTFS008P03P8Z P沟道功率MOSFET具有-30V (VDSS)、-96A (ID)、50W和超低3.8mΩ（-10V RDS(on) 时），可提高系统效率。此MOSFET采用先进的封装技术和3.3mm x 3.3mm PQFN8封装，可节省空间并实现出色的导热性能。PQFN8封装无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。安森美 (onsemi) NTTFS008P03P8Z MOSFET通常适合用于电源负载开关、电池管理笔记本电脑、平板电脑、智能手机、无人机、电源和无线充电。
特性
- 超低RDS(on) ，可提高系统效率
- 3.3mm x 3.3mm PQFN8封装，采用先进技术
- 无卤、无BFR、符合RoHS指令，可提供无铅封装
应用
- 电源负载开关
- 保护（反向电流、过压和反向负电压）
- 电池管理
- 笔记本电脑、平板电脑、智能手机和无人机
- 直流风扇、电源、USB供电 (PD) 适配器和无线充电
发布日期: 2020-08-07
| 更新日期: 2024-05-28