onsemi NVBG095N65S3F N沟道SUPERFET® III MOSFET
安森美NVBG095N65S3F N沟道SUPERFET® III MOSFET是一款高压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术。该功率MOSFET具有更低的导通损耗、出色的开关性能，并可承受极端dv/dt速率。NVBG095N65S3F N沟道SUPERFET III MOSFET优化了体二极管的反向恢复性能，无需额外元件，提高了系统可靠性。这款MOSFET符合AEC−Q101标准，具有PPAP功能，无铅，符合RoHS指令。典型应用包括汽车车载充电器和BEV用汽车DC/DC转换器。
特性
- 700V（TJ = 150°C时）
- 典型RDS(on) = 78m
- 超低栅极电荷（典型Qg = 66nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 597pF)时
- 100% 经雪崩测试
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅
- 符合RoHS指令
应用
- 汽车板载充电器
- 纯电动汽车用直流/直流转换器
典型特性图
发布日期: 2023-12-20
| 更新日期: 2024-01-17