onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET专为要求严苛的电源和汽车应用而设计。NVBYST0D8N08X基于安森美 (onsemi) 先进的MOSFET技术，在低导通损耗与稳健的开关性能之间实现了良好平衡，使其成为兼顾效率与耐用性设计的理想选择。该MOSFET针对高压运行进行了优化，能够承受电源转换、电机控制及负载开关电路中常见的快速开关和大电流应力。
安森美 (onsemi) NVBYST0D8N08X MOSFET的关键特性之一是其低导通电阻，这有助于降低发热并提升整体系统效率，尤其是在高负载条件下。该设备具有优异的雪崩耐受能力和稳健的栅极结构，有助于在电气噪声环境中实现可靠运行。NVBYST0D8N08X采用适用于表面贴装电源应用的封装，支持高效热管理并便于PCB集成，特别适用于空间和可靠性同样重要的紧凑型大功率设计。
特性
- 低QRR、软恢复体二极管
- 低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗
- 低QG和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗
- TCPAK1012 (DFLPAK16 [TopCool] Case 762AA) 封装
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令
应用
- DC-DC和AC-DC中的同步整流 (SR)
- 隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关
- 电机驱动器
- 汽车48 V系统
规范
- 最大漏源电压：80V
- 最大栅源电压：±20V
- 最大漏极连续电流：455A至643A
- 最大漏源导通电阻：0.79mΩ
- 最大栅源漏电流：100nA
- +25°C时最大功率耗散：652W
- 最大脉冲漏极电流：1976A
- 最大连续源漏电流（体二极管）：1097A
- 最大单脉冲雪崩能量：871mJ
- 工作结温范围：-55 °C至+175 °C
- 最大引线焊接温度：+260°C
- 热特性
- 结到外壳（顶部）热阻：0.23°C/W
- 结到环境热阻：38°C/W
- 结到源极引脚（引脚1-7）热特性参数：3.9°C/W
- 结到漏极引脚（引脚9-16）热特性参数：3.3°C/W
原理图
发布日期: 2026-03-20
| 更新日期: 2026-04-14