onsemi NVMFD5C功率MOSFET
安森美半导体NVMFD5C功率MOSFET符合AEC-Q101标准和生产件批准程序 (PPAP)，适合用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低总栅极电荷 (QG) 和低电容，可将驱动器损耗降到最低。这些功率MOSFET经100%雪崩测试，并具有可湿侧面选项，用于增强型光学检测。
NVMFD5C功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引线DFN8封装，设计用于实现紧凑、高效的设计以及较高的散热性能。这些器件不含铅，符合RoHS指令。
特性
- 符合汽车应用类AEC-Q101标准
- 低导通电阻 (RDS(on))，可最大限度地降低导通损耗
- 大电流能力，可实现强大的负载性能
- 经100%雪崩测试，可防止电压过载故障
- 无铅
- 符合RoHS指令
应用
- 电磁驱动器
- 低侧/高侧驱动器
- 汽车引擎控制器
- 防抱死制动系统
发布日期: 2018-01-25
| 更新日期: 2022-10-18