onsemi NVMFD6H852NL 80V 25A汽车用功率MOSFET
安森美半导体NVMFD6H852NL 80V 25A汽车用功率MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，适用于汽车应用。这款双N通道器件具有低漏极-源极导通电阻、低栅极电荷和低电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVMFD6H852NL功率MOSFET采用小尺寸8引脚DFN封装，设计紧凑，并具有可湿性侧翼选项以增强光学检测能力。
特性
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 漏极-源极电压 (VDSS)：80V
- 最大连续漏极电流 (ID)：25A
- 低漏极-源极导通电阻 (RDS(on))
- 25.5mΩ @ 10V
- 31.5mΩ @ 4.5V
- 低总栅极电荷 (QG(TOT))
- 10nC（VGS = 10V，VDS = 40V；ID = 10A）
- 5nC（VGS = 4.5V，VDS = 40V；ID = 10A）
- 输入电容 (CISS)：521pF
- 输出电容 (COSS)：69pF
- 反向传输电容 (CRSS)：4pF
- 工作结温和储存温度范围（TJ，Tstg）：-55°C至+175°C
- 封装类型：DFN-8
- 封装尺寸：5mm x 6mm
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 汽车
- 不间断电源
- 太阳能逆变器
- 电机驱动器
内部原理图
封装外形
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MOSFET具有低RDS(ON) 、超低Qg 和低Qg x RDS(ON)（这是一个关键品质因数 (FOM)）。
发布日期: 2019-09-03
| 更新日期: 2024-02-28