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onsemi NVMFS5C645N单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFS5C645N单N通道功率MOSFET具有92A漏极连续电流、在10V时4.6mΩ RDS(ON)和60V漏源电压。NVMFS5C645N采用5mm x 6mm扁平引线封装，专为紧凑高效的设计而开发。安森美（onsemi）符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。

特性

  • 5mm x 6mm小尺寸，设计紧凑
  • 低RDS(on)值，可最大限度降低导通损耗
  • 低QG和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • NVMFS5C645NWF - 可湿性侧翼选项，用于增强型光学检测
  • 无铅，符合RoHS指令

应用

  • 反向电池保护
  • 开关电源
  • 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）

规范

  • 连续漏极电流：92A (最大值）
  • 10V时RDS(ON)为4.6mΩ（最大值）
  • 漏极-源极电压：60V
  • 栅极-源极电压：±20V
  • 脉冲漏极电流：820A
  • -55°C至+175°C工作接合点和存放温度范围

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发布日期: 2024-01-03 | 更新日期: 2025-11-11