onsemi NVMFS6H824NLT1G和NVTFS6H888NLTAG功率MOSFET

安森美半导体NVMFS6H824NLT1G和NVTFS6H888NLTAG MOSFET是符合AEC-Q101标准的车规级功率MOSFET,采用小尺寸扁平引线DFN5封装,设计紧凑。这些安森美半导体器件具有低栅极电荷 (QG) 和电容,可最大限度地降低驱动器损耗,另外还具有低导通电阻 (RDS (on)),可降低导通损耗。可湿性侧翼选项(NVMFS6H824NLWF和NVTFS6H888NLWF采用WDFN8封装)提供增强型光学检测。典型应用包括开关电源、电机控制、电源开关(高/低侧驱动器和半桥)、48V系统、直流/直流转换器和负载开关。

特性

  • 3.3mm x 3.3mm占位面积,设计紧凑
  • 低导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗
  • 栅极电荷 (QG) 和电容较小,可使驱动器损耗最小化
  • 可提供可湿性侧翼产品(NVMFS6H824NLWF和NVTFS6H888NLWF)
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 无铅,符合RoHS指令

应用

  • 开关电源
  • 电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)
  • 48V系统
  • 电机控制
  • 负载开关
  • 直流/直流转换器
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物料编号 数据表 描述
NVMFS6H824NLT1G NVMFS6H824NLT1G 数据表 MOSFET T8 80V LL SO8FL
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG 数据表 MOSFET T8 80V LL U8FL
NVTFS6H888NLWFTAG NVTFS6H888NLWFTAG 数据表 MOSFET T8 80V LL U8FL
NVMFS6H824NLWFT1G NVMFS6H824NLWFT1G 数据表 MOSFET T8 80V LL SO8FL
发布日期: 2020-08-05 | 更新日期: 2024-06-05