onsemi NVMFS6H824NLT1G和NVTFS6H888NLTAG功率MOSFET
安森美半导体NVMFS6H824NLT1G和NVTFS6H888NLTAG MOSFET是符合AEC-Q101标准的车规级功率MOSFET,采用小尺寸扁平引线DFN5封装,设计紧凑。这些安森美半导体器件具有低栅极电荷 (QG) 和电容,可最大限度地降低驱动器损耗,另外还具有低导通电阻 (RDS (on)),可降低导通损耗。可湿性侧翼选项(NVMFS6H824NLWF和NVTFS6H888NLWF采用WDFN8封装)提供增强型光学检测。典型应用包括开关电源、电机控制、电源开关(高/低侧驱动器和半桥)、48V系统、直流/直流转换器和负载开关。特性
- 3.3mm x 3.3mm占位面积,设计紧凑
- 低导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗
- 栅极电荷 (QG) 和电容较小,可使驱动器损耗最小化
- 可提供可湿性侧翼产品(NVMFS6H824NLWF和NVTFS6H888NLWF)
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅,符合RoHS指令
应用
- 开关电源
- 电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)
- 48V系统
- 电机控制
- 负载开关
- 直流/直流转换器
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| NVMFS6H824NLT1G | ![]() |
MOSFET T8 80V LL SO8FL |
| NVTFS6H888NLTAG | ![]() |
MOSFET T8 80V LL U8FL |
| NVTFS6H888NLWFTAG | ![]() |
MOSFET T8 80V LL U8FL |
| NVMFS6H824NLWFT1G | ![]() |
MOSFET T8 80V LL SO8FL |
发布日期: 2020-08-05
| 更新日期: 2024-06-05

