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onsemi NVMTS1D1N04C N 沟道 MOSFET

安森美 (onsemi) NVMTS1D1N04C N沟道MOSFET是一款40V单N沟道功率MOSFET，专为紧凑型、大电流开关应用而设计。该器件采用安森美 (onsemi) PowerTrench® T6技术和Power 88封装，可在空间受限的设计中支持高效功率开关。该MOSFET通过低导通电阻将导通损耗降至最低，通过低栅极电荷与低电容降低驱动损耗。NVMTS1D1N04C MOSFET通过AEC-Q101认证且支持PPAP，适用于汽车及其他需要合格、可追溯功率器件的生产环境。

安森美 (onsemi) NVMTS1D1N04C N沟道MOSFET非常适合功率开关应用，其中包括高低侧驱动器以及H桥等设计。NVMTS1D1N04C采用DFNW8 Power 88封装，工作结温及存放温度范围均为-55°C至+175°C。

特性

  • 单N沟道PowerTrench T6 MOSFET，适用于功率开关应用
  • 小型Power 88封装，适用于紧凑型设计布局
  • 低RDS(on)，有助于将导通损耗降至最低
  • 低栅极电荷与低电容有助于降低驱动损耗
  • 通过AEC-Q101认证且支持PPAP，适用于汽车应用
  • 提供无铅及RoHS合规器件选项

应用

  • 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥）
  • 汽车应用

规范

  • 漏源电压：40V
  • 最大RDS(ON)：1.1mΩ（VGS = 10V时）
  • 漏极连续电流：277A（TC = 25°C时）
  • 漏极连续电流：196A（TC = 100°C时）
  • 栅源电压：±20V
  • 典型总栅极电荷：86nC（VGS = 10V时）
  • 典型输入电容：5410pF
  • 典型输出电容：3145pF
  • 典型反向传输电容：82pF
  • 单脉冲漏源雪崩能量：721mJ
  • 结至壳热阻：0.98°C/W
  • 工作结温与存放温度范围：-55°C至+175°C
  • 封装
    • DFNW8 Power 88封装
    • 8 mm x 8 mm 封装

封装形式

应用电路图 - onsemi NVMTS1D1N04C N 沟道 MOSFET
发布日期: 2026-07-09 | 更新日期: 2026-07-15