onsemi NVMTS1D1N04C N 沟道 MOSFET
安森美 (onsemi) NVMTS1D1N04C N沟道MOSFET是40V单N沟道功率MOSFET，设计用于紧凑型、大电流开关应用。该器件使用安森美 (onsemi) PowerTrench® T6技术，采用Power 88封装，以支持空间受限设计中的高效电源开关。该MOSFET通过低导通电阻帮助最大限度地减少传导损耗，并通过低栅极电荷和电容来减少驱动器损耗。NVMTS1D1N04C MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP能力，可支持汽车和其他需要合格、可追溯功率器件的生产环境。
安森美 (onsemi) NVMTS1D1N04C N沟道MOSFET非常适合用于电源开关应用，包括高侧和低侧驱动器以及H桥设计。NVMTS1D1N04C采用DFNW8 Power 88封装，支持在-55°C至+175°C的结温和存放温度范围内运行。
特性
- 单N沟道PowerTrench T6 MOSFET，适用于功率开关应用
- 小型Power 88封装，适用于紧凑型设计布局
- 低RDS (on)有助于最大限度地减少导通损耗
- 低栅极电荷和电容值有助于减少驱动器损耗
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP能力，适用于汽车应用
- 无铅和符合RoHS指令的器件选项
应用
- 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥）
- 汽车应用
规范
- 漏源电压：40V
- 最大RDS(ON)为1.1mΩ（VGS = 10V时）
- TC = 25°C时，漏极连续电流为277A
- TC = 100°C时，漏极连续电流为196A
- 栅源电压：±20V
- V GS = 10V 时，典型总栅极电荷为86nC。
- 典型输入电容：5410pF
- 典型输出电容：3145pF
- 典型反向传输电容：82pF
- 单脉冲漏极到源极雪崩能量：721mJ
- 结至壳热阻：0.98°C/W
- 工作结温和存放温度范围：-55°C至+175°C
- 封装
- DFNW8 Power 88封装
- 8 mm x 8 mm 封装
封装样式
发布日期: 2026-07-09
| 更新日期: 2026-07-15