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onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVNJWS200N031L单通道N沟道功率MOSFET的漏极-源极击穿电压 [V(BR)DSS] 为30V（最小值），连续漏极电流 (ID) 额定值为3.3A。该MOSFET的RDS(on) 低至200mΩ（最大值，VGS =4.5V、ID =1.5A时），可将导通损耗降至最低。该器件还具有89pF的低输入电容 (CISS) 特性。且采用可湿性侧翼，并集成ESD保护栅极。安森美NVNJWS200N031L已通过AEC-Q101认证，并支持PPAP流程。

特性

  • 低RDS(on)、低栅极阈值
  • 低输入电容
  • ESD保护栅极
  • 可湿性侧翼，便于增强光学检测
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 无铅

应用

  • 低侧负载开关
  • DC-DC转换器（降压与升压电路）

规范

  • 漏极-源极电压 (VDSS)：30V
  • 栅极-源极电压 (VGS)：±8V
  • 连续漏极电流 (ID)：2.2A（+25°C时）/1.5A（+100°C时）
  • 耗散功率 (PD)：1.8W（+25°C时）/0.9W（+100°C时）
  • 脉冲漏极电流 (IDM)：25A（tp =10µs时）
  • 工作结温/存放温度范围 (TJ /Tstg)：-55°C至+175°C
  • 焊接引脚耐受温度 (TL)：+260°C
  • 典型漏极-源极导通电阻 [RDS(on)]
    • VGS = 4.5V、ID = 1.5A时为153mΩ（典型值）
    • VGS = 3V、ID = 0.5A时为185mΩ（典型值）

电路图

原理图 - onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
发布日期: 2025-10-01 | 更新日期: 2025-10-14