NVNJWS200N031LTAG

Name: onsemi NVNJWS200N031LTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VNJWS200N031LTAG
Price: 6.59 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-VNJWS200N031LTAG

制造商编号：

NVNJWS200N031LTAG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NVNJWS200N031LTAG 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	2.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	1.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	1.8 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	2.2 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.6 ns
系列:	NVNJWS200N031L
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10.2 ns
典型接通延迟时间:	5.2 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NVNJWS200N031LTAG 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVNJWS200N031L单通道N沟道功率MOSFET的漏极-源极击穿电压 [V_(BR)DSS] 为30V（最小值），连续漏极电流 (I_D) 额定值为3.3A。该MOSFET的R_DS(on) 低至200mΩ（最大值，V_GS =4.5V、I_D =1.5A时），可将导通损耗降至最低。该器件还具有89pF的低输入电容 (C_ISS) 特性。且采用可湿性侧翼，并集成ESD保护栅极。安森美NVNJWS200N031L已通过AEC-Q101认证，并支持PPAP流程。