onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET
安森美半导体NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V、13.9mΩ和40A单N沟道MOSFET，采用紧凑高效的设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。该MOSFET适用于电池反向保护、电源开关、开关电源和其他汽车应用。
特性
- 占位面积小（3.3mmx3.3mm），设计紧凑
- RDS(on) 较低，可使传导损耗最小化
- 低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 漏极-源极电压（VDSS）：80V
- 连续漏极电流（ID）：40A（TC = 25 °C时）
- 漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：13.9mΩ
- LFPAK33 封装
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 反向电池保护
- 电源开关（如高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）
- 电磁驱动器
- 电机控制
- 负载开关
- 开关电源
封装尺寸
发布日期: 2024-02-19
| 更新日期: 2024-02-28