onsemi NVXK2TR40WXT碳化硅 (SiC) 模块
安森美 NVXK2TR40WXT碳化硅 (SiC) 模块是一款1200V、40mΩ 和27A双路半桥EliteSiC电源模块，采用APM32双列直插封装 (DIP)。该SiC模块结构紧凑，具有低模块总电阻。NVXK2TR40WXT电源模块是符合AEC-Q101和AQG324标准的汽车级 器件。该电源模块不含铅，符合ROHS指令和UL94V-0标准。NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET电源模块非常适合用于xEV应用中的直流-直流和车载充电器。
特性
- DIP碳化硅 (SiC) 双路半桥电源模块
- 漏极-源极电压（VDSS）：1200V
- 连续漏极电流（ID）：27A
- 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：40mΩ（典型值）
- 工作结温（TJ）范围：-55°C至175°C
- 爬电距离和电气间隙，符合IEC60664-1和IEC 60950-1标准
- 设计紧凑，实现低模块总电阻
- 模块串行化，实现完全可追溯性
- 无铅
- 符合RoHS指令和UL94V-0标准
- 符合AEC-Q101和AQG324的汽车级标准
应用
- 用于EV-PHEV的HV DC/DC和车载充电器
- 用于EV-PHEV的11kW至22kW车载充电器
SiC MOSFET半桥模块
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发布日期: 2024-08-02
| 更新日期: 2024-08-28